マイクロ波プラズマCVD装置 NCS 3-150

低温CVDナノクリスタル・ダイヤモンド & カーボン合成

本装置は、リニアアンテナ構造を用いた独自のプラズマ発生技術を用いることで、6インチサイズのダイヤモンド合成を可能にしました。合成中の温度を450℃以下に抑えることで、プラスチックや金属類など、低融点材料への大面積ダイヤモンド合成が可能です。また、パルス方式でのマイクロ波発振をおこなうことで、低入力パワーで高いピークパワーを出力し、基板温度やプラズマ密度を独立調整することが可能です。絶縁性ダイヤだけでなく、ドーパントガスを用いることで、導電性ダイヤの合成も可能で、バイオメディカル、電気化学、エネルギー、保護膜やヒートスプレッダ等、ダイヤモンドの応用分野を飛躍的に広げる一台です。

特長・機能

  • サンプルサイズ 6インチ
  • 合成温度 200~450℃
  • 成長速度 50nm/hr
  • タッチパネルコントロール(インターロック・シーケンス)

アプリケーション

  • 多結晶ダイヤモンド合成(マイクロ結晶、ナノ結晶ダイヤ)
  • カーボンフィルム合成
  • グラフェン合成

仕様

  • マイクロ波電源出力 3kW(peak)
  • 圧力制御範囲 0.038~2.25 Torr
  • 真空コントローラ & RPポンプ

カタログ・資料

この製品についてのお問い合わせはこちら

ご覧いただいている製品の仕様にご不明点がある方は、お気軽にお問い合わせください。
当社スタッフが必要な条件・用途をお伺いした上で、最適な製品をご提案いたします。

ダイヤ成膜装置部

※お電話の受付時間:9:00~18:00 お問い合わせはフォームでも受け付けをしております。

ページトップへ戻る