Siウエハ上へ導電性ダイヤモンドを成膜したダイヤモンド電極 BDD on Silicon

大面積ウエハ、3次元コーティングも可能なマルチユースダイヤモンドCVD量産機

本製品「BDD on Silicon」は、Siウエハ上にネオコート(Neocoat)社のHFCVD装置によって高品質な導電性多結晶ダイヤモンドを合成したダイヤモンド電極です。ネオコート社独自のカット技術により、お客様のご希望の形およびサイズに切り出し提供します。また、お客様からのサンプルお持ち込みによるサービスコーティングにも対応します。

特長・機能

基板 単結晶または多結晶Si (10-3~10-4Ω)
電極形状 円板形、正方形、長方形、カスタマイズあり
外寸 円板形(φ3~200㎜)正方形(3×3~100×100㎜)
BDD厚み 100nm – 20 μm
Boron濃度 100 – 10000 ppm
BDD抵抗率(mΩ・㎝) 5 – 10000
膜均一性(3s) +/- 5% (100 mm内)
粒径(平均) 40 nm@100 nm(膜厚)
0.5 μm@3 μm(膜厚)
DCOI (Diamond Coating On Insulator) ダイヤモンドコーティングは、Si3N4 or Si3N4/SiO2上でも可能です。
特注仕様 Ti/Auメタライゼーション処理(裏面)

仕様

Si基板(P型) 厚み(mm) サイズ(mm) 成膜面
単結晶 2 25×50(長方形) 片面
単結晶 2 25×50(長方形) 両面
単結晶 2 φ100(円板型) 片面
多結晶 2 φ100(円板型) 両面
多結晶 1 100 x 100(正方形) 片面
多結晶 1 100 x 100(正方形) 両面

カタログ・資料

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ダイヤ成膜装置部

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